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題 名 | Effect of Cating Techniques on Rectification Characteristics of Aluminum/Ploy(3-Octylthiophene)/Indium-Tin Oxide Schottky Barrier Electronic Device=塗佈技術對鋁/聚3辛基噻吩/ITO 導電玻璃蕭基能障電子元件整流特性之影響 |
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作 者 | 郭欽湊; 游進修; | 書刊名 | 大同學報 |
卷 期 | 22 1992.11[民81.11] |
頁 次 | 頁177-183 |
分類號 | 448.551 |
關鍵詞 | 元件; 技術; 玻璃; 塗佈; 電子; 聚3辛基噻吩; 鋁; 導電; 整流; |
語 文 | 英文(English) |
中文摘要 | 本研究利用不同的塗佈技術(旋轉及滴降法)製備鋁╱聚3辛基�悝h(P3OT)╱ ITO 導電玻璃( ITO )蕭基二極體, 測試製造出之二極體顯示 P3OT 為一正型半導體, 並具優良整流行為及低的漏電流。以旋轉塗佈技術製備之二極體,其整流比在± 1.5V 為 2 × 10 �縑F而滴降塗佈技術,整流比在± 30V 為 3 × 10 �纂C但在空氣中,以滴降塗佈技 術製得之二極體較旋轉塗佈技術穩定。 |
英文摘要 | Schottky diodes of aluminum/poly(3-octylthiophene)(P3OT)/indium-tin oxide (ITO) are prepared using the spin and drop casting techniques. The diodes in which the P3OT behaves as a p-type semiconductor exhibit a good rectifying behavior and low leakage current. The rectification ratios are 2 × 10 �� at ± 1.5 V by spin casting technique and 3 × 10 �� at ± 30 V by drop casting technique. But the diodes from drop casting technique are more stable than those from spin casting technique in the air. |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。