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題名 | Band Structures of Semiconducting Compounded Materials from the Empirical Pseudopotential Method=由經驗虛位能方法探討半導體化合物材質之能帶結構 |
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作者 | 朱惠美; 張澤華; | 書刊名 | 中原學報 |
卷期 | 19 1990.12[民79.12] |
頁次 | 頁18-29 |
分類號 | 337.472 |
關鍵詞 | 化合物; 半導體; 材質; 能帶結構; 虛位能法; 經驗; |
語文 | 英文(English) |
中文摘要 | 半導體化合物材質砷化鋁鎵[Ga₁-xAℓxAs],(砷化鎵)₁-(砷化鋁)₁[(GaAs)₁-(AℓAs)₁],及(砷化鎵)₁-(砷化鋁鎵)₁[(GaAs)₁-(Ga₀.₅Aℓ₀.₅As)₁]之能帶結構與電子特性採用經驗虛位能近似法已經很成功地被計算出來。 所計算的結果與實驗量測的數值比較之,在整個運算過程中發現兩者所得之結果非常吻合。 |
英文摘要 | The structural and electronic properties of semiconducting compounded materials Ga₁xAℓAs, (GaAs)₁,-(AℓxAs)₁, and (GaAs)₁-(Ga₀.₅Aℓ₀.₅As)₁, are successfully calculated by using an empirical pseudopotential approximation. The calculated results are compared with the experimental measurements and good agreement is found throughout. |
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