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題名 | 自旋記憶體發展從STT-MRAM到VCMRAM=Development of Spintronics Memory from STT-MRAM to VCMRAM |
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作者 | 葉林秀; 吳德和; Ye, L. X.; Wu, T. H.; |
期刊 | 工業材料 |
出版日期 | 20180500 |
卷期 | 377 2018.05[民107.05] |
頁次 | 頁121-126 |
分類號 | 471.6511 |
語文 | chi |
關鍵詞 | 磁阻式隨機存取記憶體; 磁穿隧接面; 磁異向性; Magnetoresistive random access memory; MRAM; Magnetic tunnel junction; MTJ; Magnetic anisotropy; |