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題 名 | 全包覆式電晶體之最佳化設計=Optimal Design of Gate-All-Around SOI MOSFETs |
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作 者 | 陳俊佑; 林吉聰; 江孟學; | 書刊名 | 奈米通訊 |
卷 期 | 21:1 2014.03[民103.03] |
頁 次 | 頁9-13 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 設計窗; 次臨界斜率; 延遲時間; 閘極電容; 奈米線; Design window; Subthreshold swing; Intrinsic delay; Gate capacitance; Nanowire; |
語 文 | 中文(Chinese) |