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題名 | 一個基底與閘極共同觸發的N型金氧半靜電保護元件= |
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作者 | 黃至堯; 蘇國賢; 張朝偉; 邱福千; |
期刊 | 電子月刊 |
出版日期 | 20130600 |
卷期 | 19:6=215 2013.06[民102.06] |
頁次 | 頁138-149 |
分類號 | 448.532 |
語文 | chi |
關鍵詞 | 靜電放電; N型金氧半; 動態臨界; 基底閘極觸發; Electrostatic discharge; ESD; NMOS; Dynamic threshold; Substrate-gate-trigger; |
中文摘要 | 本文提出一個利用動態臨界原則的基底與閘極共同觸發結構來提高多指狀N型金氧半元件靜電性能。簡單的電阻或電阻電容基底/閘極觸發N型金氧半結構在各種電阻/電容值之下都展現比閘極接地N型金氧半元件改善12~17%的靜電能力。電阻電容基底/閘極觸發結構結合特殊基底接觸點型態也表現的比相同接觸型態之閘極接地N型金氧半元件更加優異,短路基底接觸點型態的基底/閘極觸發元件比一般短路情況更好2.8倍,而置入基底接觸點型態的基底/閘極觸發元件優於一般置入條件2.1倍。 |
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