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來源資料
奈米通訊
17:1 2010.03[民99.03]
頁8-12
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題 名
環繞式閘極電晶體的微縮特性之探討=Simulation-Based Study of Scalability of Gate-All-Around MOSFETs
作 者
江孟學
;
陳俊佑
;
林吉聰
;
書刊名
奈米通訊
卷 期
17:1 2010.03[民99.03]
頁 次
頁8-12
分類號
448.552
關鍵詞
先進元件
;
電腦輔助技術設計
;
環繞式閘極
;
Advanced devices
;
TCAD
;
Gate-all-around MOSFET
;
語 文
中文(Chinese)
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