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題名 | Impacts of SiN Deposition Conditions on the Flicker Noise Characteristics of Strained N-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors |
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作者 | Lu, Ching-sen; Huang, Tiao-yuan; Lin, Horng-chih; | 書刊名 | International Journal of Electrical Engineering |
卷期 | 16:4 2009.08[民98.08] |
頁次 | 頁269-276 |
分類號 | 448.5 |
關鍵詞 | SiN; Tensile stress; Flicker noise; Gas flow rate; |
語文 | 英文(English) |