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題名 | 高峰谷值共振穿透元件高頻分頻電路之研究=High Frequency Divider Using High PVCR Resonant Tunneling Device |
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作者 | 楊誌欽; 吳尚昇; 黃建豪; 陳志浩; 游向宸; 張書葦; 李尚庭; Yang, Chih-chin; Wu, Shang-sheng; Huang, Chien-hao; Chen, Chih-hao; Yu, Hsiang-chen; Chang, Shu-wei; Li, Shang-ting; |
期刊 | 國立高雄海洋科大學報 |
出版日期 | 20070300 |
卷期 | 21 2007.03[民96.03] |
頁次 | 頁169-180 |
分類號 | 448.532 |
語文 | chi |
關鍵詞 | 共振穿透電路; 金氧半元件; 分頻; RTD; MOS; Frequency dividing; |
中文摘要 | 由於負微分電阻具有高速切換時間、低消耗功率等特別的優點,所以使用負微分電 阻電晶體共振電路來製作高頻分頻電路。在研究中利用金氧半電晶體與負微分共振電路 來研究高頻分頻電路,並利用這些電路之負電阻電流-電壓曲線,實際運用負微分電阻 等效電路到高頻分頻電路上,並且檢測高頻輸出分頻頻率。藉由調變分頻電路之電容 值,研究得知當電容值越大,倍頻分頻功能越大。並藉由調變分頻電路電感值時,研究 得知當電感值越大,倍頻分頻功能也越大。另外調變負微分電阻電晶體共振電路中迴授 電阻值會改變分頻輸出振幅,而且些微的調變就會得到很大的振幅差異。另外檢測顯示 的負微分電阻電晶體共振電路級數越高,雖可以增加分頻效果,但是量子效應越明顯, 當電路並聯級數過多時功率損耗增加。 |
英文摘要 | A ultra-high-speed frequency divider using a resonant tunneling diode (RTD) chaos circuit is proposed, which circuit integrates a resonant tunneling equivalent transistor circuit, RLC circuit and a high electronic mobility metal oxide semiconductor (MOS) transistor. This frequency divider is based on the long-period behavior of the nonlinear circuits generating chaos. The various frequency dividing operations will be observed at the input frequency of 50 GHz. The performance of high frequency dividers is raised as both, the inductance and capacitance of RLC circuit, and resistance of resonant tunneling equivalent transistor circuit is increased, but it decreased the output power. |
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