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題名 | HF/6-31G[fec8]ab initio分子軌域法對(SiH[feaf])[feb8]M[feb2]分子(M=P,Al,As或Ga)理論計算研究= |
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作者 | 盧力華; 劉權文; 吳宜桓; 陳建昌; Lu, Li-hwa; Liu, Quan-wen; Wu, Yi-huan; Chen, Jian-chang; |
期刊 | 黃埔學報 |
出版日期 | 19990100 |
卷期 | 36 1999.01[民88.01] |
頁次 | 頁267-284 |
分類號 | 348.221 |
語文 | chi |
關鍵詞 | HF/6-31G[fec8]ab initio分子軌域法; 三環[3,3,1,1 ]葵矽烷; 幾何優選結構; 游離能; HOMO能量; LUMO能量; 能隙; 生成焓; 原子化熱; 振動頻率; HF/6-31G[fec8]ab initio molecule orbital method; Tricyclo [3,3,1,1 ] decsilane; Ionization potentials; HOMO; LUMO; Energy gaps; Heat of formations; Atomization energies; Vibration frequencies; |
中文摘要 | 本研究以Gaussian 94 程式組中之HF/6-31G* ab initio 分子軌域法對三環 [3,3,1,1 ��, �� ] 葵矽烷的Ⅲ A 族鋁、鎵元素及 VA 族磷、砷元素衍生物(( SiH �砥^ �� M ��,M=P, A1, As 或 Ga )進行理論計算研究。由計算結果,吾人獲得上述各衍生物分 子之幾何優選結構、游離能、HOMO 能量、LUMO 能量、能隙、生成焓、原子化熱以及振動頻 率等數據。 證實( SiH �砥^�� P �略壑l、( SiH �砥^�� As �略壑l、( SiH �砥^�� Al �略壑l及( SiH �砥^�� Ga �略壑l均為穩定的分子。 同時藉由上述計算結果亦證實( SiH �砥^�� P �略壑l及( SiH �砥^�� Al �略壑l較( SiH �砥^�� As �略峞] SiH �砥^�� Ga �略壑l具有較高之穩定性,( SiH �砥^�� Ga �略壑l及( SiH �砥^�� Al �略壑l之導電性 大於其他各衍生物分子之導電性。 |
英文摘要 | The HF/6-31G* ab initio molecule orbital method from Gaussian 94 program package was applied to tricyclo[3,3,1,1 ��, �� ]decsilane derivatives ( (SiH �� ) �� M ��, M=P, Al, As or Ga). From the calculation, we attained the structures, ionization potentials, HOMO and LUMO energies, energy gaps, heat of formations, atomization energies, and vibration frequencies of these molecules. The results show that ( SiH �� ) �� P ��,( SiH �� ) �� As ��,( SiH �� ) �睪l �� and ( SiH �� ) �� Ga �淮re all stable molecules with ( SiH �� ) �� P �淮nd ( SiH �� ) �� Al �� moleculich are more stable than ( SiH �� ) �� As �淮nd ( SiH �� ) �� Ga �烯olecules. The ( SiH �� ) �� Ga �淮nd ( SiH �� ) �� Al �� molecules have larger conductivity among the four derivatives. |
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