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題名 | 最新晶圓接合技術於垂直薄膜型藍光發光二極體之應用= |
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作者 | 洪瑞華; 高偉程; |
期刊 | 電子月刊 |
出版日期 | 20121100 |
卷期 | 18:11=208 2012.11[民101.11] |
頁次 | 頁100-106 |
分類號 | 448.552 |
語文 | chi |
關鍵詞 | 金屬接合技術; 雷射剝離技術; 藍寶石; 氮化鎵; 發光二極體; |
中文摘要 | 本研究將化學無電鍍金方法應用在氮化鎵發光二極體之金屬接合製程中,並利用雷射剝離技術使藍寶石基板與氮化鎵薄膜分離並轉移至矽基板,製備垂直導通氮化鎵發光二極體,探討元件之材料與光電特性。利用無電鍍金方法將金薄膜成長於具有晶種層的表面,參數則控制在濃度0.05M,溫度50℃下,成長1小時之後可得到2 mm的金薄膜;之後與銦在低溫220℃、壓力200kg/inch2,壓合2小時並且利用UV雷射成功的將氮化鎵薄膜從藍寶石基板剝離並且不會對氮化鎵薄膜造成傷害,其雷射光束直徑為1 mm,能量密度為96 mJ/cm2,掃瞄速率0.27 mm/s,製作出以矽為基板之薄膜發光二極體;經由發光功率以及偏壓點測後,良率分別為93.3%及95.3%;完成封裝之Thin GaN LED元件在注入電流350 mA的輸出功率與發光效率分別為350.5 mW及20.13%,具有良好的光電特性。 |
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