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題名 | 原子層沉積技術於電阻式記憶體元件之應用=Applications of Atomic Layer Deposition in Resistance Random Access Memory |
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作者 | 陳邦旭; 王慶鈞; |
期刊 | 機械工業 |
出版日期 | 20130600 |
卷期 | 363 2013.06[民102.06] |
頁次 | 頁134-143 |
分類號 | 448.57 |
語文 | chi |
關鍵詞 | 原子層沉積技術; 電阻式記憶體; 三維結構; Atomic layer deposition; ALD; Resistance random access memory; RRAM; Three dimension structure; |