查詢結果分析
相關文獻
- On the Evaluation of Double-Gate CMOS Circuit Performance via Different Modeling Techniques
- 應用於鰭式場效電晶體精簡模型的物理特性
- 次15奈米鰭寬之矽基底鰭式場效電晶體元件
- 三維原子探針(3DAPT)分析技術簡介
- 低於60毫伏特次臨界擺幅之負電容效應鰭式場效電晶體
- 利用半導體CMOS製程中化學氣相沉積堆疊之超薄二硫化鉬立體鰭式場效電晶體元件
- 利用I-line雙重微影成像法製作多晶矽鰭式場效電晶體(FinFET)
- Analytical Subthreshold Behavior Model for Symmetrical Tri-Material Gate Stack Double-Gate MOSFETs
- 應用在AI、5G的先進製程技術:鰭式場效電晶體(FinFET)
頁籤選單縮合
題 名 | On the Evaluation of Double-Gate CMOS Circuit Performance via Different Modeling Techniques=以不同模型技術評估雙閘極互補式金氧半場效電晶體的電路效能 |
---|---|
作 者 | 江孟學; | 書刊名 | 宜蘭大學工程學刊 |
卷 期 | 2 民95.02 |
頁 次 | 頁15-26 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 雙閘極金氧半場效電晶體; 鰭式場效電晶體; 精簡模型; Double-gate MOSFET; FinFET; TCAD; Compact model; |
語 文 | 英文(English) |
中文摘要 | 此論文主要是探討雙閘極互補式金氧半場效電晶體模型技術,其應用範圍在於元件與電路的模擬。這些模型技術包括了查表模型、精簡模型及混合式模擬,各種模型技術各有其特色。我們運用了不同的模型技術來評估雙閘極互補式金氧半場效電晶體的電路效能,並且在電路應用的設計上,提供了最佳化的設計方法。 |
英文摘要 | Double-gate CMOS modeling techniques for device and circuit simulations are presented. The modeling techniques, including look-up table modeling, compact device modeling, and mixed-mode simulation, have their unique features suitable for evaluating high performance Double-Gate CMOS circuits. |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。