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電子月刊
12:7=132 民95.07
頁122-128
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題名
利用TEM和PL技術探討MOVPE成長條件對InGaP/GaAs反向介面性質的影響--透過最佳化成長條件抑制InGaP/GaAs介面內InGaAsP混合層的形成=
作者
謝炎璋
;
羅廣禮
;
張翼
;
期刊
電子月刊
出版日期
20060700
卷期
12:7=132 民95.07
頁次
頁122-128
分類號
448.552
語文
chi
關鍵詞
蝕刻
;
穿透式電子顯微成像技術
;
光激發螢光技術
;
半導體
;
金屬有機體氣相沉積法
;
TEM
;
PL
;
MOVPE
;
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