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| 題 名 | A Brief Analysis of Device Paramenters Effects on Performances of Trench-type Insulated Gate Bipolar Transistors=元件參數對溝渠式絕緣閘雙極性電晶體性能之影響淺析 |
|---|---|
| 作 者 | 歐陽昌義; | 書刊名 | 北台學報 |
| 卷 期 | 28 民94.03 |
| 頁 次 | 頁123-131 |
| 分類號 | 448.552 |
| 關鍵詞 | 絕緣閘雙極性電晶體; 金氧半場效電晶體; 低壓化學氣相蒸鍍; IGBT; Insulated gate bipolar transistor; MOSFET; Metal-oxide-semiconductor field effect transistor; LPCVD; Low pressure chemical vapor deposition; |
| 語 文 | 英文(English) |