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題 名 | 高性能非揮發性二氧化鉿奈米晶體記憶體 |
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作 者 | 林育賢; 簡昭欣; 周棟煥; 洪錦石; 雷添福; | 書刊名 | 奈米通訊 |
卷 期 | 12:2 2005.05[民94.05] |
頁 次 | 頁23-27 |
分類號 | 471.6511 |
關鍵詞 | 二氧化鉿奈米晶體記憶體; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 摘要 我們製作的高性能非揮發性二氧化鉿奈 米微晶粒體記憶體,是經由900°C 快速升溫 退火(Rapid Thermal Annealing, RTA),利用 相分離相析出的方式把矽酸鉿氧化物(Hfsilicate) 薄膜形成二氧化鉿(HfO2) 奈米微晶 粒。在這技術中,有非常高的奈米微晶粒密 度,其範圍約在0.9~1.9×1012cm-2,而且平均 奈米微晶粒大小約在10nm 以下,此外由於 二氧化鉿的奈米微晶粒是被埋在二氧化矽 中,且因其具有較深的電子能階。因此我們 製作出的記憶體具有記憶視窗大、資料寫入/ 抹除速度快(1us/0.1ms)、資料保存久(十年 只有10% 漏電量) 以及元件可靠度佳等特 色。 |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。