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題 名 | 65奈米光罩製作 |
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作 者 | 施錫龍; 蔡來福; 文翔昇; 戴寶通; 丁永強; 許丕明; 李明峻; | 書刊名 | 奈米通訊 |
卷 期 | 12:1 2005.02[民94.02] |
頁 次 | 頁33-37 |
分類號 | 448.59 |
關鍵詞 | 深次奈米世代; 雷射曝光; 電子束曝光; 匹配曝光方式; Deep sub-nanometer generation; Laser writing; Electron beam writing; Mix-and-Match writing; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 摘要 積體電路製程已進入深次奈米世代 (Deep sub-nanometer generation),光學微影技 術(Optical lithography) 目前還是製造主流,其 他電子束(Electron beam) 及離子束(Ion beam) 晶片直描(Wafer direct write),X-光曝光 (X-ray lithography) 尚停留在實驗室階段,而 光學微影技術的成敗主要決定於奈米光罩的 製作。本文主要討論65 奈米光罩製作的最 先進曝光系統包含雷射曝光(Laser Writing) 及電子束曝光(Electron Beam Writing),利用 匹配曝光方式(Mix-and-Match Writing) 可得 到電子束曝光的高解像力,雷射曝光的高產率 以改進電子束曝光的低產能及雷射曝光的低 解像力,有效的用於製作65 奈米光罩,可以 解決奈米光罩量產問題。 |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。