頁籤選單縮合
題名 | 氧化物電阻式記憶體= |
---|---|
作者 | 李亨元; 陳邦旭; 陳佑昇; |
期刊 | 電子月刊 |
出版日期 | 20130800 |
卷期 | 19:8=217 2013.08[民102.08] |
頁次 | 頁96-109 |
分類號 | 471.6511 |
語文 | chi |
關鍵詞 | 氧化物電阻式記憶體; 操作機制; 測試技術; |
中文摘要 | 近年來由於消費性電子產品的蓬勃發展,不僅提升非揮發性記憶體的需求,也帶動快閃記憶體的研究與發展。然而,隨著元件尺寸不斷的微縮,利用電荷儲存來達成記憶體功能的快閃記憶體(Flash),已經面臨許多物理極限的挑戰。因此尋找可以取代快閃記憶體的新興非揮發性記憶體技術,已成為下世代記憶體技術發展的重點。在這些新興非揮發性記憶體技術中,以記憶體單元電阻值的改變作為儲存資料的電阻式記憶體為大宗,例如:磁性記憶體(MRAM)、相變化記憶體(PCM)與氧化物電阻式記憶體(RRAM)。其中,磁性記憶體與相變化記憶體皆以達到商品化的發展程度,而發展已經將近50年的氧化物電阻式記憶體在2013年前仍處在開發階段。氧化物電阻式記憶體發展緩慢的主要原因乃早年人們不瞭解其運作機制,因此無法獲得可靠的記憶體特性,所以此技術自1960年代被提出後,有將近40年的時間不受到關注。直到2000年後,由於相關材料技術與元件操作技術的改進,氧化物電阻式記憶體許多優異的記憶體特性才逐漸被人們發現。今日,氧化物電阻式記憶體已成為國際上新興記憶體研究的熱門題目,而本文將就氧化物電阻式記憶體進行簡介,內容包括其發展歷史與運作原理,並針對測試參數如何影響元件運作進行重點說明。 |
本系統之摘要資訊系依該期刊論文摘要之資訊為主。