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題名 | 氮化鋁銦鎵深紫外光發光二極體製作技術=Technology of AlInGaN Deep-Ultraviolet Light Emitting Diode |
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作者 | 李政鴻; 張秀美; 賴夆杰; 蔡文光; 王德忠; 卓昌正; Lee, Z. H.; Chang, S. M.; Lai, F. J.; Tsai, W. K.; Wang, D. Z.; Chuo, C. C.; |
期刊 | 工業材料 |
出版日期 | 20060100 |
卷期 | 229 民95.01 |
頁次 | 頁98-106 |
分類號 | 448.552 |
語文 | chi |
關鍵詞 | 氮化鋁銦鎵; 深紫外光; 發光二極體; 金屬有機化學氣相沉積; 氧化銦錫; 氮化鋁鎵; AlInGaN; Deep-ultraviolet; Light emitting diode; LED; Metal organic chemical vapor deposition; MOCVD; Indium tin oxide; ITO; AlGaN; |