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題名 | 氮化鎵歐姆接觸之研究=The Study of Ohmic Contacts of GaN |
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作者 | 林詣超; 黃耀聰; 杜孟政; 蘇炎坤; 張守進; Lin, I. C.; Huagn, Y. C.; Du, M. Z.; Su, Y. K.; Chang, S. J.; |
期刊 | 真空科技 |
出版日期 | 20000900 |
卷期 | 13:3 2000.09[民89.09] |
頁次 | 頁12-18 |
分類號 | 448.57 |
語文 | chi |
關鍵詞 | 氮化鎵; 歐姆接觸; |
中文摘要 | 在本論文中我們嘗試利用功函數較低的金屬,如鈦、鋁,來作為n型氮化鎵的歐姆接觸;並利用功函數較高的金屬如,鎳、鈀、鉑、金,來作為p型氮作鎵的歐姆接觸。我們發現到金屬的功函數的確對氮化鎵的歐姆接觸有很大的影響,這個現表示氮化鎵並沒有發生費米能階定位(Fermi level pinning)。在n型氮化鎵中,未經過熱處理的鈦╱鋁歐姆接觸具有2.35×10-3Ωcm2的特殊接觸電阻,,而在經過600℃的熱處理過後,其電阻可降低到7.4×10-5Ωcm2。而在p型氮化鎵的歐姆接觸研究當中,我們發現鎳金在經過氧化的熱處理後,可得到最低電阻值1.02×10-2Ωcm2。 |
英文摘要 | In this paper we tried to use metals with lower word functions, such as Ti, A1, to form ohmic contacts to n-Gan. Then we used metals with higher work functions, such as Ni, Pd, Pt, and Au to form ohmic contacts to p-GaN. We found that the work functions of these metals indeed influence the performance of ohmic contacts, indicating that the Fermi level of Gan. Is unpinned. The specific contact resistance was 2.35×10-3Ωcm2 for as deposited to Ti/A1 on n-GaN, and found to decrease as annealing temperature increased until a minimum, 7.4×10-5Ωcm2 , was obtained at 600℃. We also found that the oxidized Ni/Au contact schemes on p-GaN studied here. |
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