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題名 | 光化學濕式蝕刻法應用於氮化鎵晶片表面之研究=Study the Surface of Gallium Nitride by Photoenchance Wet Etching |
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作者 | 洪榮木; 林俊宏; 陳世明; 蔡文鋒; Hong, R. M.; Lin, C. H.; Chen, S. M.; Tsai, W. F.; |
期刊 | 永達學報 |
出版日期 | 200104 |
卷期 | 2:1 2001.04[民90.04] |
頁次 | 頁1-7 |
分類號 | 448.552 |
語文 | chi |
關鍵詞 | 氮化鎵; 激光二極體; 光化學濕式蝕刻; 場效應掃瞄電子顯微鏡; 蝕刻凹陷; 蝕刻凹陷密度; GaN; LED; Photoelectro-chemical wet etching; FESEM; Etch-pit; Etch-pit density; EPD; |