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題名 | 鎳/金接觸在p-型氮化鎵上之研究= |
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作者 | 許進恭; 蘇炎坤; |
期刊 | 物理雙月刊 |
出版日期 | 19980400 |
卷期 | 20:2 1998.04[民87.04] |
頁次 | 頁257-262 |
分類號 | 448.552 |
語文 | chi |
關鍵詞 | 鎳/金接觸; p-型氮化鎵; |
中文摘要 | 本實驗乃以電子束蒸鍍法將鎳 / 金蒸鍍在 p- 型氮化鎵上並經熱退火處理,期能 形成歐姆接觸。 在熱退火處理前,鎳 / 金接觸在 p- 型氮化鎵上所展現之電流 -- 電壓( Ⅰ - Ⅴ)特性為非歐姆性( non-ohmic )接觸, 當退火溫度增加到 700 ℃時所展現之Ⅰ - Ⅴ特性有漸趨線性之行為。 在熱退火處理後, 蕭基位障的降低可能是因為 Ga-Ni 及 Ga-Au 化合物在金屬 - 半導體界面( metal-semiconductor interface )產生, 經由 x-ray 繞射分析顯示,這些存在金屬一半導體界面的化合物,除了 Ga �� Ni �陛BGa �� Ni �砥BGaAu、GaAu �砟坏~,還有 Ni �� N 及 Ga �� Ni �陛C為了探討金及鎳在金屬 -- 半導 體界面附近之擴散行為, 我們亦使用 Auger electon spectroscopy ( AES )及 R utherford backscattering spectrometry ( RBS )之量測加以分析。 |
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