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題名 | Compositional Inhomogeneities in InGaN/GaN Quantum Wells Studied with High Resolution Transmission Electron Microscopy=利用高解析度穿透式電子顯微術研究氮化銦鎵/氮化鎵量子井內之不均勻成份 |
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作者 | 林彥勝; 徐鎮; 馬廣仁; 馮世維; 廖啟智; 楊志忠; 卓昌正; 李家銘; 綦振瀛; | 書刊名 | Journal of the Chinese Institute of Electrical Engineering |
卷期 | 9:2 2002.05[民91.05] |
頁次 | 頁121-126 |
分類號 | 448.42 |
關鍵詞 | 氮化銦鎵; 氮化鎵多層量子井結構; 相分離; 銦聚集; InGaN/GaN quantum well structures; Phase separation; Indium aggregation; |
語文 | 英文(English) |