查詢結果分析
相關文獻
- 以兩階段氮化閘氧化層及非晶矽閘電極以改善金氧半元件之抗輻射特性
- 金氧半元件之場氧化層離子佈植抗輻射加固之研究
- Effect of Oxidation Pressure on the Electrical and Radiation Hardness Properties of Rapid Thermal Oxides
- Improvement in Radiation Hardness of CMOS Inverters and Circuits by Adding Compensation Resistors
- 可增進CMOS數位電路之抗輻射能力的電路設計
- Isolation of Radiation Resistant Strains from the Air of the Irradiation Chamber
- 奈米級金氧半場效電晶體量子修正模式與應用
- 形變矽通道互補式金氧半(CMOS)元件--材料性質、基板製備與應用
- GaN 高頻元件應用領域與發展現況
- 奈米結構金氧矽發光二極體之特性研究
頁籤選單縮合
題名 | 以兩階段氮化閘氧化層及非晶矽閘電極以改善金氧半元件之抗輻射特性=Radiation Hardness Improvement of MOS Device by Gate Oxynitride Using Two-Step Nitridation and Amorphous Si Gate Electrode |
---|---|
作者 | 開執中; 張廖貴術; 黃振國; Kai, Ji-jung; Chang Liao, Kuei-shu; Huang, Jenn-gwo; |
期刊 | 台電工程月刊 |
出版日期 | 200112 |
卷期 | 640 2001.12[民90.12] |
頁次 | 頁31-47 |
分類號 | 448.552 |
語文 | chi |
關鍵詞 | 金氧半元件; 氮化氧化層; 非晶矽閘極; 抗輻射; MOS device; Nitrided oxide; Amorphous Si; Radiation hardening; |