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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
1:1 1994.02[民83.02]
- 頁 次:
頁45-50
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
18:5 1995.09[民84.09]
- 頁 次:
頁707-712
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題 名:
高功率密度射頻應用之氮化鎵高電子遷移率電晶體技術之研究:GaN HEMT for High Power Density of RF Applications
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
10 2014.01[民103.01]
- 頁 次:
頁234-242
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題 名:
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題 名:
磷化銦鎵/砷化銦鎵/砷化鎵假型高電子遷移率電晶體之模擬與研究:The Simulation of Pseudomorphic In□Ga□P/In匃Ga□As/GaAs HEMTs
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
18 2004.06[民93.06]
- 頁 次:
頁89-94
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:2 2015.03[民104.03]
- 頁 次:
頁35-40
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題 名:
氮化鎵單晶微波積體電路功率放大器元件製程及設計:The Development of GaN MMIC Power Amplifier
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13 2017.01[民106.01]
- 頁 次:
頁80-91
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題 名:
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題 名:
應用於毫米波的三五族半導體元件:III-V Semiconductor Devices for Millimeter-wave Applications
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
23:4 2016.12[民105.12]
- 頁 次:
頁2-9
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
23:4 2016.12[民105.12]
- 頁 次:
頁10-14
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題 名:
新一代氮化鋁銦/氮化鎵高電子遷移率電晶體之原理與未來應用:The Principle and Future Application of New Barrier AlInN/GaN HEMTs
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
7 2011.01[民100.01]
- 頁 次:
頁178-185
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
8 2012.01[民101.01]
- 頁 次:
頁312-320
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題 名:
寬頻微小化功率分配器之設計研究:Design of Wide-band, Miniaturized Power Dividers
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
6 2010.01[民99.01]
- 頁 次:
頁221-231
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
32:3 2009.05[民98.05]
- 頁 次:
頁391-396
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題 名:
高速化合物半導體近期之發展與應用:The Development and Applications of High Speed Compound Semiconductor
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
16:4 2009.12[民98.12]
- 頁 次:
頁26-34
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
94 2007.10[民96.10]
- 頁 次:
頁54-58
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
12:10=135 民95.10
- 頁 次:
頁207-213
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
23 民95.07
- 頁 次:
頁97-104
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
21 民93.09
- 頁 次:
頁145-157
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
20 2024.01[民113.01]
- 頁 次:
頁253-263
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題 名:
氮化鎵高頻高功率元件之研究與應用:The Development of AlGaN/GaN HEMT Device for High Frequency High Power Application
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
5 2009.01[民98.01]
- 頁 次:
頁211-219
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題 名: