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DC and Microwave Characteristics of Pseudomorphic AlGaAs/In Ga As HEMT's Fabricated by Deep-UV Lithography:利用紫外光源所製作之砷化鋁鎵/砷化銦鎵應力層高速場效電晶體之直流與高頻特性
吳家松 詹益仁 綦振瀛 陳鉅棟 莊添民 莊豐裕 張忠繼
Journal of the Chinese Institute of Electrical Engineering
1:1 1994.02[民83.02]
頁45-50
TCI引用統計