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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
527 2016.11[民105.11]
- 頁 次:
頁32-35
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題 名:
環繞式閘極電晶體的微縮特性之探討:Simulation-Based Study of Scalability of Gate-All-Around MOSFETs
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:1 2010.03[民99.03]
- 頁 次:
頁8-12
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
6 2010.03[民99.03]
- 頁 次:
頁65-73
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題 名:
高密度相變化記憶體的多階操作之探究:Design Insights of High-density Multi-level Phase-change Memory Cell
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
6 2010.03[民99.03]
- 頁 次:
頁74-84
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題 名:
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題 名:
雜散摻雜原子對多重閘極電晶體的影響:Impact of Discrete Impurity Atoms on Multi-Gate MOSFETs
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
3 2007.02[民96.02]
- 頁 次:
頁17-29
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題 名:
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題 名:
相變化記憶體HSPICE模型:HSPICE Model for Phase Change Memory Elements
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
3 2007.02[民96.02]
- 頁 次:
頁109-123
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
8 2008.01[民97.01]
- 頁 次:
頁35-42
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
2 民95.02
- 頁 次:
頁15-26
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題 名:
奈米範圍之場效電晶體臨界電壓對摻雜質濃度變異的敏感度:Threshold Voltage Dependence on Channel Doping for Nanoscale MOSFETs
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
2 民95.02
- 頁 次:
頁27-35
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
5 2009.03[民98.03]
- 頁 次:
頁37-48
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題 名:
衝擊離子化效應受金氧半場效電晶體微縮之影響:Impact Ionization Phenomenon in MOSFET Scaling
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
5 2009.03[民98.03]
- 頁 次:
頁49-64
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
21:1 2014.03[民103.03]
- 頁 次:
頁9-13