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題 名:
Alloy Fluctuations in Si[fec5] Ge戓/Si Quantum Wells:矽化鍺與矽量子井之合金位能起伏現象
- 作 者:
- 書刊名:
Proceedings of the National Science Council : Part A, Physical Science and Engineering
- 卷 期:
22:4 1998.07[民87.07]
- 頁 次:
頁439-446
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
29:1 2001.03[民90.03]
- 頁 次:
頁9-14
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
9:2 2002.05[民91.05]
- 頁 次:
頁103-108
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
35 2012.05[民101.05]
- 頁 次:
頁35-44
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
6:2 2016.10[民105.10]
- 頁 次:
頁1-8
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題 名:
矽鍺雙通道元件電洞侷限能力之探討:Hole Confinement in Double-Channel SiGe PMOSFET
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
20 2007.11[民96.11]
- 頁 次:
頁35-49
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
25:1 2022.02[民111.02]
- 頁 次:
頁31-36
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
22:3 2015.09[民104.09]
- 頁 次:
頁13-17
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