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題 名:
In戓Ga[fec5]P Grown by All Solid Source Molecular Beam Epitaxy:利用固態源分子束磊晶系統生長磷化銦鎵
- 作 者:
- 書刊名:
Proceedings of the National Science Council : Part A, Physical Science and Engineering
- 卷 期:
22:6 1998.11[民87.11]
- 頁 次:
頁805-810
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
6 1998.06[民87.06]
- 頁 次:
頁87-94
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
7:7=72 2001.07[民90.07]
- 頁 次:
頁156-165
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
19:2 2000.06[民89.06]
- 頁 次:
頁583-587
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
15:3 2002.09[民91.09]
- 頁 次:
頁51-53
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題 名:
銅/金與磷化銦鎵之蕭特基接觸特性與檢光器:The Characteristic of Cu/Au Schottky Contacts to InGaP and Photodetectors
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
15:2 2002.07[民91.07]
- 頁 次:
頁17-26
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
12 1992.04[民81.04]
- 頁 次:
頁41-104
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
3 1993.12[民82.12]
- 頁 次:
頁73-85
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題 名:
以有機金屬化學氣相沉積法成長磷化銦鎵太陽電池於矽基板之研究:The Study of GaInP Grown on Si for Solar Cell by MOCVD
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
29:4 2016.12[民105.12]
- 頁 次:
頁41-45
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
15:6=167 2009.06[民98.06]
- 頁 次:
頁184-196
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