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題 名:
以光激化學氣相沉積系統成長二氧化矽作為砷化鎵金氧半電容之絕緣層:GaAs MOS Capacitors with Photo-CVD SiO[feaf]Insulator Layers
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17:3 2004.11[民93.11]
- 頁 次:
頁26-30
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題 名: