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題 名:
一種精準的MOSFET臨限電壓量測方法:A Novel Method for Determining the Threshold Voltage of MOSFET Devices
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
5:1 1996.12[民85.12]
- 頁 次:
頁171-177
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題 名:
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題 名:
矽鍺雙通道元件電洞侷限能力之探討:Hole Confinement in Double-Channel SiGe PMOSFET
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
20 2007.11[民96.11]
- 頁 次:
頁35-49
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
20 2007.11[民96.11]
- 頁 次:
頁51-65