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鍺全包覆式場效電晶體之蝕刻製程與數值模擬的優化研究:Study on Optimal Etching Techniques for the Ge Gate All around Field-effect Transistors Fabrication Process and Numerical Simulation
朱俊霖 羅廣禮 許舒涵
奈米通訊
21:1 2014.03[民103.03]
頁2-8
TCI引用統計