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利用非對稱閘極之不同遮蔽長度來提升奈米線穿隧式電晶體效能:Performance Enhancement of Nanowire Tunnel Field-Effect Transistor with Asymmetry-Gate Based on Different Screening Length
詹易叡 吳永俊 洪敏峰
奈米通訊
21:1 2014.03[民103.03]
頁14-19
TCI引用統計