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外漏磁場對垂直式自旋傳輸磁性記憶體的影響:Impact of Stray Field on the Switching Properties of Perpendicular MTJ for Scaled MRAM
黃勝煌 沈桂弘 簡政尉 王丁勇 郭耿銘 楊姍意 徐嘉宏 王泳弘
臺灣奈米會刊
33 2013.06[民102.06]
頁74-79
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