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題 名:
矽鍺雙通道元件電洞侷限能力之探討:Hole Confinement in Double-Channel SiGe PMOSFET
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
20 2007.11[民96.11]
- 頁 次:
頁35-49
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題 名:
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題 名:
具有緩衝層之氮化矽覆蓋形變矽通道(Strained Si channel)互補式金氧半(CMOS)元件之特性影響與相關可靠度分析:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:9=146 2007.09[民96.09]
- 頁 次:
頁152-161
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:10=147 2007.10[民96.10]
- 頁 次:
頁141-148
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13:10=147 2007.10[民96.10]
- 頁 次:
頁171-179
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
14:4 2007.12[民96.12]
- 頁 次:
頁35-38
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題 名:
軟性顯示器技術發展與趨勢:Development and Tendency of Flexible Display Technology
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
244 2007.04[民96.04]
- 頁 次:
頁88-98
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
33 2007.07[民96.07]
- 頁 次:
頁283-309
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
33 2007.07[民96.07]
- 頁 次:
頁311-336
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
252 2007.12[民96.12]
- 頁 次:
頁74-79