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題 名:
利用TEM和PL技術探討MOVPE成長條件對InGaP/GaAs反向介面性質的影響--透過最佳化成長條件抑制InGaP/GaAs介面內InGaAsP混合層的形成:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
12:7=132 民95.07
- 頁 次:
頁122-128
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題 名: