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題 名:
Analysis of Si/Ge/Si MOSFET by One Dimensional Schrödinger Equation:利用一維薛丁格方程式分析矽鍺金氧半場效電晶體特性
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
23 民95.06
- 頁 次:
頁79-87
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題 名: