刊名
類目
出版年
資料類型
檢索結果筆數(1)。 各著作權人授權國家圖書館,敬請洽詢 nclper@ncl.edu.tw
在搜尋的結果範圍內查詢:
全部
排序
每頁顯示
1
Relationship between Mobile Charges and Interface Trap States in Silicon Mos Capacitors:矽金氧半電容器中可移性電荷與界面陷阱之關係
胡振國 王維新 邱雲磊
中國工程學刊
9:2 1986.03[民75.03]
頁171-178
TCI引用統計