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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
6 1998.06[民87.06]
- 頁 次:
頁87-94
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
30:1 2002.03[民91.03]
- 頁 次:
頁93-97
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題 名:
Doping Properties of Pr[feaf]O[feb0]Associate InGaAs Epitaxy:三氧化二鐠在砷化鎵磊晶層中之參雜特性
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
25:2 1997.01[民86.01]
- 頁 次:
頁187-193
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
2 1997.06[民86.06]
- 頁 次:
頁193-204
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
11 2003.05[民92.05]
- 頁 次:
頁477-480
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
9 2004.09[民93.09]
- 頁 次:
頁117-126
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
37:1 2012.05[民101.05]
- 頁 次:
頁43-51
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
35:1 2010.05[民99.05]
- 頁 次:
頁39-49
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
38:1(A) 2009.11[民98.11]
- 頁 次:
頁187-199
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題 名:
矽鍺雙通道元件電洞侷限能力之探討:Hole Confinement in Double-Channel SiGe PMOSFET
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
20 2007.11[民96.11]
- 頁 次:
頁35-49
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
11:1 1981.09[民70.09]
- 頁 次:
頁11-26
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
46:2(A) 2017.11[民106.11]
- 頁 次:
頁93-103