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題 名:
氧化鉿薄膜之漏電流分析:Leakage Current Mechanism of HfO[feaf] Thin Film Capacitors
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
12 1999.06[民88.06]
- 頁 次:
頁79-89
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題 名:
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
8 2001.09[民90.09]
- 頁 次:
頁97-102
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
8 2001.09[民90.09]
- 頁 次:
頁267-272
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- 題 名:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
13 2010.05[民99.05]
- 頁 次:
頁(B3)1-(B3)8
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題 名:
二氧化鈦電阻式記憶體之特性:Characteristics of TiO₂ Resistive Random Access Memory
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
36:1 2011.04[民100.04]
- 頁 次:
頁25-34
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題 名:
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題 名:
探討腔室壓力對於高介電常數樣料(Ba[90b0],Sr[90b1])(Ti0.9,Zr0.1)O[feb0]薄膜特性影響之研究:
- 作者:
- 書刊名:
- 卷 期:
25 民94.10
- 頁 次:
頁86-95
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題 名: