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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
33:4 2001.12[民90.12]
- 頁 次:
頁239-246
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題 名:
氮化鎵乾式蝕刻技術(ICP-RIE)之研究:On the Study of GaN Dry Etching by Using Inductively Coupled Plasma
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
33:3 2001.09[民90.09]
- 頁 次:
頁136-142
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
34:1 2002.03[民91.03]
- 頁 次:
頁55-60
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
34:1 2002.03[民91.03]
- 頁 次:
頁61-65
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
35:1 2003.03[民92.03]
- 頁 次:
頁1-4
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
35:1 2003.03[民92.03]
- 頁 次:
頁24-30
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
34:4 2002.12[民91.12]
- 頁 次:
頁246-250
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
34:4 2002.12[民91.12]
- 頁 次:
頁261-266
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題 名:
以微波電漿化學氣相沉積法在鑽石緩衝層上成長立方氮化硼薄膜:Growth of Cubic Boron Nitride Films on Diamond Buffer Layers Via MPCVD
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
36:1 2004.03[民93.03]
- 頁 次:
頁59-63
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
37:2 民94.06
- 頁 次:
頁105-109
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
36:3 2004.09[民93.09]
- 頁 次:
頁172-178
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
36:3 2004.09[民93.09]
- 頁 次:
頁179-184
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
37:1 民94.03
- 頁 次:
頁8-15
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題 名:
高效率多孔隙氮化銦鎵發光元件研製:High-Efficiency InGaN-based Light-Emitting Diodes with Nanoporous GaN:Mg Structure
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
38:4 民95.12
- 頁 次:
頁223-227
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題 名: